- Слой полупроводника между областями с электронной и дырочной проводимостью – p-n-переход. Электроны и дырки проникают в соседние области, происходит рекомбинация дырок с электронами. На границе в p-области собираются электроны, а в n-области – дырки, возникает двойной электрический слой, характеризующийся потенциальным барьером. В отсутствии внешнего поля ток через p-n-переход равен нулю.
- Если к p-области приложить положительный потенциал (прямое смещение), высота потенциального барьера уменьшается, полупроводник пропускает ток.
- При подаче к p-области отрицательного потенциала (обратное смещение) высота барьера увеличивается, ток через полупроводник не идёт.
- Полупроводник проводит электрический ток только в одном направлении. Области применения: выпрямители переменного тока, детекторы температуры, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители, светодиоды, полупроводниковые лазеры.
Схема p-n-перехода и его вольт-амперная характеристика