Материаловедение • 31 класс
43

Строение полупроводниковых материалов

  • Полупроводник кристаллический материал с шириной запрещённой зоны порядка 1 эВ. Полупроводниками являются чистые вещества Ge, Si, Se, Te, As, бинарные соединения GaAs, InAs, GaN, CdTe, сплавы Cd-Hg-Te.
  • Электрическая проводимость осуществляется за счёт движения электронов проводимости, перешедших из валентной зоны в зону проводимости, и дырок вакансий, которые появляются в валентной зоне после перехода электрона в зону проводимости. Положительный заряд дырки по модулю равен заряду электрона. Собственная проводимость осуществляется по электронно-дырочному механизму.
  • При наличии в кристаллической решётке полупроводника примеси с валентностью, отличной от валентности основного элемента, возникают электроны проводимости (если валентность примеси больше) или дырки (если валентность примеси меньше).
  • Электронная проводимость возникает в полупроводниках n-типа, содержащих донорные атомы, имеющие большую валентность.
  • В полупроводниках p-типа возникает дырочная проводимость, так как в их состав входят примесные атомы-акцепторы с меньшей валентностью.
Изображение 1
Было полезно?

Рекомендуем

Вы учитель или ученик?
Познакомьтесь с нашим образовательным онлайн-сервисом с тысячами интерактивных работ
Учителю
Удобно проводить уроки в классе, назначать работы на дом и анализировать результаты всего класса или конкретных учеников
Ученику
Самостоятельно изучать новые и повторять пройденные темы, готовиться по индивидуальной траектории и оценивать результаты на наглядных графиках
Зарегистрироваться в «Облаке знаний»
Логотип облако знаний
+7 (499) 322-07-57
info@oblakoz.ru

Контактный центр

МО, г. Долгопрудный,
Лихачевский проезд, 4, стр. 1

Отдел заботы о пользователях

Политика конфиденциальности

© ООО «Физикон Лаб», 2025

Пользуясь нашим сайтом, вы соглашаетесь с тем, что мы используем cookies 🍪