Полупроводник – кристаллический материал с шириной запрещённой зоны порядка 1 эВ. Полупроводниками являются чистые вещества Ge, Si, Se, Te, As, бинарные соединения GaAs, InAs, GaN, CdTe, сплавы Cd-Hg-Te.
Электрическая проводимость осуществляется за счёт движения электронов проводимости, перешедших из валентной зоны в зону проводимости, и дырок – вакансий, которые появляются в валентной зоне после перехода электрона в зону проводимости. Положительный заряд дырки по модулю равен заряду электрона. Собственная проводимость осуществляется по электронно-дырочному механизму.
При наличии в кристаллической решётке полупроводника примеси с валентностью, отличной от валентности основного элемента, возникают электроны проводимости (если валентность примеси больше) или дырки (если валентность примеси меньше).
Электронная проводимость возникает в полупроводниках n-типа, содержащих донорные атомы, имеющие большую валентность.
В полупроводниках p-типа возникает дырочная проводимость, так как в их состав входят примесные атомы-акцепторы с меньшей валентностью.
