Электронно-дырочный переход (n–p-переход) — это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.
Запирающий слой — это пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости, который препятствует процессу диффузии электронов и дырок.
Запирающий слой возникает в результате диффузии электронов и дырок при контакте: в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой, в p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой.
Если n–p-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединён с n-областью, ток через n–p-переход практически не идет. Напряжение, поданное на n–p-переход в этом случае называют обратным.
Если положительный полюс источника соединить с p-областью, создаётся ток в прямом направлении. Сила тока растёт при увеличении напряжения источника.
Способность n–p-перехода пропускать ток в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами.
