Электронно-дырочный переход

Запирающий слой – пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости, который возникает из-за перераспределения зарядов и препятствует процессу диффузии электронов и дырок.

Если n–p-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединён с n-областью, ток через n–p-переход практически не идёт. Напряжение, поданное на n–p-переход, в этом случае называют обратным.

Если положительный полюс источника соединить с p-областью, создаётся ток в прямом направлении. Сила тока растёт при увеличении напряжения источника.

Способность n–p-перехода пропускать ток в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами.